Samsung Fabrication de la Nouvelle Puce D’Apple au Texas

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Le 7 août, à Séoul – Un grand nouveau partenariat se dessine entre Apple et Samsung Electronics disant que les fonderies de Samsung à Austin, au Texas, vont prendre en charge la production d’une puce mémoire inédite pour les produits Apple.

Dans un communiqué de presse officiel, Apple a révélé qu’elle collabore étroitement avec Samsung dans cette usine pour développer une technologie de fabrication de pointe pour créer cette nouvelle puce qui va faire ses débuts mondiaux.

« Apple se concentre à lancer une technologie franchement innovante chez Samsung à Austin, permettant la production d’une puce complètement nouvelle, », annonce la firme à la pomme dans son communiqué.

« Cette initiative, qui prend d’abord son envol aux États-Unis, a pour but de produire des puces qui amélioreront l’efficacité énergétique et les performances de tous nos appareils, y compris des iPhones qui seront distribués à l’échelle mondiale », a ajouté Apple.

Des experts du secteur estiment qu’il s’agit très probablement d’un capteur d’images CMOS, auquel Apple pourrait faire appel pour les prochains modèles d’iPhone. Actuellement, Apple se fournit principalement chez Sony qui possède plus de la moitié du marché des capteurs d’images, tandis que Samsung occupe la deuxième place avec une part de 15,4%. Pour l’instant, Samsung n’a pas voulu commenter davantage sur cette collaboration.

Cette annonce fait suite à un contrat conséquant de 16,5 milliards de dollars que Samsung a décroché récemment avec Tesla pour fournir des semi-conducteurs destinés à l’intelligence artificielle. Selon des analyses récentes, l’activité verrouillée de semi-conducteurs pourrait redynamiser les profits de Samsung l’année prochaine en s’équipant pour produire ces capteurs d’images de nouvelle génération.

D’autre part, en juillet, Samsung a rapporté une chute vertigineuse de 50% de son bénéfice net au deuxième trimestre, marquée par des performances décevantes de sa division semi-conducteurs, affectée par une faiblesse de la demande pour les mémoires haute bande passante.

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